hírek

A szilícium-nitrid (Si₃N4) kerámiát széles körben használják kiváló hőállósága, oxidációval szembeni ellenállása és mechanikai szilárdsága miatt. A legújabb tanulmányok azonban azt mutatják, hogy extrém magas hőmérsékleten (≥1300 °C) a Si3N4 reakcióba léphet a szénnel, fokozatosan szilícium-karbid (SiC) kerámiává alakulva, miközben nitrogéngázt (N2) szabadít fel.

Összehasonlítja a cirkónium-oxid kerámiát és az alumínium-oxid kerámiát, kiemelve a keménység, szívósság, kopásállóság, kémiai stabilitás és termikus tulajdonságaik különbségeit. Feltárja a gép-, elektronikai, orvosbiológiai és vegyiparban alkalmazott kulcsfontosságú alkalmazásaikat is, és segít az olvasóknak kiválasztani a megfelelő alumínium-oxid vagy cirkónium-oxid kerámiát az adott igényekhez.

A magas hőmérsékletű ipari alkalmazásokban az alumínium-oxid kerámia csövek kiváló választásnak bizonyultak kivételes hőállóságuk, mechanikai szilárdságuk és kémiai stabilitásuk miatt. Legyen szó magas hőmérsékletű kemencékről, acélolvasztásról, fémöntésről vagy üveggyártásról, az alumínium-oxid kerámia csövek hosszú távú tartósságot és megbízható teljesítményt biztosítanak.

A plazmamarató berendezésekben az alapvető kerámiaelemek közé tartoznak a kerámiakamrák, SiC fókuszgyűrűk, SiC elektrosztatikus tokmányok, alumínium-oxid kerámia fúvókák, gázdiszperziós lemezek és egyéb szerkezeti elemek.

Legyen szó egyenletes melegítésről, hatékony öntésről vagy precíz anyagkezelésről, a megfelelő tégely nagymértékben befolyásolhatja az eredményeket. A megfelelő tégelyhez meg kell érteni sajátos folyamatkövetelményeit.

A PBN (Pyrolytic Boron Nitride) tégelyeket tisztaságuk, hősokkállóságuk és tartósságuk miatt értékelik. Megakadályozzák az anyagszennyeződést, ami döntő fontosságú a szennyeződésekre érzékeny folyamatokban, és repedés nélkül bírják a gyors hőmérsékletváltozásokat. Elektromos szigetelésük megfelel a nem vezető alkalmazásoknak, változatos formájuk pedig egyedi igényeket is kielégít.

2025 elején a KYOCERA Fineceramics Europe GmbH bejelentette, hogy új üzemet létesít Erfurtban, Németországban, bővítve meglévő többhuzalos fűrész-technológiai képességeit és gyártási infrastruktúráját.

December 23-án az olyan sajtóorgánumok, mint a The Economic Times arról számoltak be, hogy a Silectric Semiconductor, a Zoho Corporation leányvállalata létrehozza Karnataka első félvezetőgyártó üzemét Indiában, amely a szilícium-karbid integrált gyártásával foglalkozik.

Nemrég a Kyocera bejelentette egy új szilícium-nitrid kerámia anyag kifejlesztését a következő generációs mikrochipek funkcionális tesztelésére. Ez az új anyag fokozott hőtágulási tulajdonságokkal és hajlítószilárdsággal büszkélkedhet, lehetővé téve vékony szilícium-nitrid lemezek előállítását rendkívül szűk érintkezési szondákkal, ami kritikus fontosságú a következő generációs mikrochipek teszteléséhez.

A közelmúltban a KYOCERA áttörő ünnepséget tartott a németországi Stuttgart melletti Waiblingenben található orvosi implantátumok finom kerámiagyára számára. Ez a létesítmény a csípőprotézisekhez és más implantációs alkalmazásokhoz használt kiváló minőségű kerámiafejek gyártására specializálódik. A projekt várhatóan jövő év szeptemberére fejeződik be.

A közelmúltban az Alpha HPA, egy ausztrál cég megkezdte a világ legnagyobb egyhelyiségű, ultranagy tisztaságú timföldfinomítójának második ütemének építését.

A QY Research adatai szerint a félvezetőkben használt szilícium-karbid (SiC) kerámiák globális piacának mérete 2023-ban 1,111 milliárd dollár volt. A downstream iparágak merev kereslete miatt az előrejelzések szerint a szilícium-karbid kerámiák piaca 1,578 milliárd dollárra fog növekedni. 2030-ra 5,09%-os összetett éves növekedési rátával (CAGR) 2024 és 2030 között.